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什么是3D超级DRAM?为何我们需要这种技术?:英亚国际首页

发布时间:2021-02-15 11:07:02来源:英亚国际 - 首页编辑:英亚国际 - 首页阅读: 当前位置:首页 > 历史真相 > 手机阅读

英亚国际-就算3DNAND的每位元成本与平面NAND相比较还过于较低,NAND快闪存储早已顺利地由平面改以3D,而DRAM还是保持2D架构;在此同时,DRAM制程的微缩也显得更加艰难,主要是因为储存电容的浅宽比(aspectratio)随着元件制程微缩而呈圆形倍数减少。因此,为了要缩短DRAM这种存储的寿命,在短时间内必需要使用3DDRAM解决方案。什么是3D超级DRAM(Super-DRAM)?为何我们必须这种技术?以下请求闻笔者的说明。平面DRAM是存储单元阵列与存储逻辑电路分占到两侧,3DSuper-DRAM则是将存储单元阵列填充在存储逻辑电路的上方,因此裸晶尺寸不会显得较为小,每片晶圆的裸晶产出量也不会更加多;这意味著3DSuper-DRAM的成本可以高于平面DRAM。

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3DSuper-DRAM与平面DRAM结构较为3DSuper-DRAM重复使用了运用于平面DRAM的经证实生产流程与元件架构;当我们较为平面与3D两种DRAM,储存电容以及存储逻辑电路应当不会是一样的,它们之间的唯一差异是单元电晶体。平面DRAM长时间情况下不会使用凹型电晶体(recessedtransistor),3DSuper-DRAM则是利用横向的环绕着闸极电晶体(SurroundingGateTransistor,SGT)3DSuper-DRAM架构平面DRAM最重要也最艰苦的挑战,是储存电容的高深宽比。如下图右图,储存电容的浅宽比不会随着元件制程微缩而呈圆形倍数减少;换句话说,平面DRAM的制程微缩不会更加艰难。

根据我们的理解,DRAM制程微缩速度早已放缓,生产成本也攀升,主要就是因为储存电容的微缩问题;这个问题该如何解决问题?平面DRAM储存电容浅宽比不会随制程微缩而减少平面DRAM的储存电容难道无法变化或是改动,但是如果用于存储单元3D填充技术,除了片晶圆的裸晶产出量有望减少四倍,也能因为可重复使用储存电容,而节省低约数十亿美元的新型储存电容研发成本与风险,并减缓产品上市时程。。

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